北京鼎泰芯源科技发展有限公司 main business:技术开发、技术服务、技术转让、技术咨询、技术推广;产品设计;模型设计;经济信息咨询;文化咨询;公共关系服务;市场调查;企业管理咨询;自然科学研究与试验发展;工程和技术研究与试验发展。(企业依法自主选择经营项目,开展经营活动;依法须经批准的项目,经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动;不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。) and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
welcome new and old customers to visit our company guidance, my company specific address is: 北京市海淀区海淀大街3号楼B座10层340.
If you are interested in our products or have any questions, you can give us a message, or contact us directly, we will receive your information, will be the first time in a timely manner contact with you.
- 110108022157211
- 91110108MA008N353N
- 开业
- 有限责任公司(自然人投资或控股)
- 2016年10月10日
- 张娜斯
- 111.000000
- 2016年10月10日 至 2036年10月09日
- 北京市工商行政管理局海淀分局
- 2017年08月14日
- 北京市海淀区海淀大街3号楼B座10层340
- 技术开发、技术服务、技术转让、技术咨询、技术推广;产品设计;模型设计;经济信息咨询;文化咨询;公共关系服务;市场调查;企业管理咨询;自然科学研究与试验发展;工程和技术研究与试验发展。(企业依法自主选择经营项目,开展经营活动;依法须经批准的项目,经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动;不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。)
序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
1 | CN106553276A | 一种碳化硅晶体偏角度加工的定向夹具 | 2017.04.05 | 本发明涉及一种碳化硅晶体偏角度加工的定向夹具,属于晶体加工装置领域。所述定向夹具包括:旋转滑台,固定 |
2 | CN106521615A | 一种基于VGF法的InP晶体生长炉 | 2017.03.22 | 本发明公开了一种基于VGF法的InP晶体生长炉,属于半导体晶体生长设备技术领域。本发明所述InP晶体 |
3 | CN106498487A | 熔区附加磁场装置及具有其的VGF单晶生长炉 | 2017.03.15 | 本发明提供了一种熔区附加磁场装置及具有其的VGF单晶生长炉,所述磁场装置包括磁体及内外导磁板,套设于 |
4 | CN106435742A | 退火设备及其退火工艺 | 2017.02.22 | 本发明公开了一种退火设备及其退火工艺,包括加热保护元件、内部开有凹槽的上保温腔体和下保温腔体以及升降 |
5 | CN106400102A | 一种可实现单晶在线退火的生长设备及其方法 | 2017.02.15 | 本发明提供了一种可实现单晶在线退火的生长设备及其方法,所述生长设备包括:炉体、充气系统、真空系统、排 |
6 | CN106409730A | 非接触式晶圆退火装置及其退火方法 | 2017.02.15 | 本发明公开了一种非接触式晶圆退火装置及其退火方法,所述退火设备包括晶圆、气浮载台、光源、红外测温探头 |
7 | CN106381524A | 一种基于原位合成法的InP单晶炉用观察窗装置 | 2017.02.08 | 本发明提供一种基于原位合成法的InP单晶炉用观察窗装置,包括贯穿炉体内外的观察通道,观察通道出口处设 |
8 | CN106381525A | 一种基于VGF法的减少InP晶体孪晶的装置 | 2017.02.08 | 本发明公开了一种基于VGF法的减少InP晶体孪晶的装置,包括,外部的炉体以及内部的同轴坩埚,隔热屏, |
9 | CN106367812A | 一种提高碳化硅粉源径向温度均匀性的石墨坩埚 | 2017.02.01 | 本发明涉及一种提高碳化硅粉源径向温度均匀性的石墨坩埚,属于半导体芯片单晶制备技术领域。所述石墨坩埚包 |
10 | CN106340487A | 用于晶圆退火的载片盘、退火装置及晶圆退火方法 | 2017.01.18 | 本发明提供一种用于晶圆退火的载片盘、退火装置及晶圆退火方法,载片盘包括基板和位于基板上的多个凸起。退 |