北京鼎泰芯源科技发展有限公司
企业简介

北京鼎泰芯源科技发展有限公司 main business:技术开发、技术服务、技术转让、技术咨询、技术推广;产品设计;模型设计;经济信息咨询;文化咨询;公共关系服务;市场调查;企业管理咨询;自然科学研究与试验发展;工程和技术研究与试验发展。(企业依法自主选择经营项目,开展经营活动;依法须经批准的项目,经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动;不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。) and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.

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北京鼎泰芯源科技发展有限公司的工商信息
  • 110108022157211
  • 91110108MA008N353N
  • 开业
  • 有限责任公司(自然人投资或控股)
  • 2016年10月10日
  • 张娜斯
  • 111.000000
  • 2016年10月10日 至 2036年10月09日
  • 北京市工商行政管理局海淀分局
  • 2017年08月14日
  • 北京市海淀区海淀大街3号楼B座10层340
  • 技术开发、技术服务、技术转让、技术咨询、技术推广;产品设计;模型设计;经济信息咨询;文化咨询;公共关系服务;市场调查;企业管理咨询;自然科学研究与试验发展;工程和技术研究与试验发展。(企业依法自主选择经营项目,开展经营活动;依法须经批准的项目,经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动;不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。)
北京鼎泰芯源科技发展有限公司的专利信息
序号 公布号 发明名称 公布日期 摘要
1 CN106553276A 一种碳化硅晶体偏角度加工的定向夹具 2017.04.05 本发明涉及一种碳化硅晶体偏角度加工的定向夹具,属于晶体加工装置领域。所述定向夹具包括:旋转滑台,固定
2 CN106521615A 一种基于VGF法的InP晶体生长炉 2017.03.22 本发明公开了一种基于VGF法的InP晶体生长炉,属于半导体晶体生长设备技术领域。本发明所述InP晶体
3 CN106498487A 熔区附加磁场装置及具有其的VGF单晶生长炉 2017.03.15 本发明提供了一种熔区附加磁场装置及具有其的VGF单晶生长炉,所述磁场装置包括磁体及内外导磁板,套设于
4 CN106435742A 退火设备及其退火工艺 2017.02.22 本发明公开了一种退火设备及其退火工艺,包括加热保护元件、内部开有凹槽的上保温腔体和下保温腔体以及升降
5 CN106400102A 一种可实现单晶在线退火的生长设备及其方法 2017.02.15 本发明提供了一种可实现单晶在线退火的生长设备及其方法,所述生长设备包括:炉体、充气系统、真空系统、排
6 CN106409730A 非接触式晶圆退火装置及其退火方法 2017.02.15 本发明公开了一种非接触式晶圆退火装置及其退火方法,所述退火设备包括晶圆、气浮载台、光源、红外测温探头
7 CN106381524A 一种基于原位合成法的InP单晶炉用观察窗装置 2017.02.08 本发明提供一种基于原位合成法的InP单晶炉用观察窗装置,包括贯穿炉体内外的观察通道,观察通道出口处设
8 CN106381525A 一种基于VGF法的减少InP晶体孪晶的装置 2017.02.08 本发明公开了一种基于VGF法的减少InP晶体孪晶的装置,包括,外部的炉体以及内部的同轴坩埚,隔热屏,
9 CN106367812A 一种提高碳化硅粉源径向温度均匀性的石墨坩埚 2017.02.01 本发明涉及一种提高碳化硅粉源径向温度均匀性的石墨坩埚,属于半导体芯片单晶制备技术领域。所述石墨坩埚包
10 CN106340487A 用于晶圆退火的载片盘、退火装置及晶圆退火方法 2017.01.18 本发明提供一种用于晶圆退火的载片盘、退火装置及晶圆退火方法,载片盘包括基板和位于基板上的多个凸起。退
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